近日，我院凝聚态物理研究所高东文老师和北京工业大学王丽教授课题组合作并针对硒化锌材料P型掺杂困难的问题利用脉冲激光沉积（PLD）方法制备了具有异维结构的硫系半导体纳米薄膜。所得薄膜同时具有分布良好的零维、二维和三维结构。通过改变薄膜制备条件可以得到不同维度的结构比例从而控制薄膜整体的P/N型。相关结果发表在Advanced Optical Materials（IF：9.926，SCI一区）上。
该研究发现利用PLD制备的该类硒化锌多掺薄膜具有分布良好的零维、二维和三维结构。不同维度的结构分布比例与实验条件密切相关。实验显示制备条件中的压强和温度对薄膜的性能有显著影响。研究发现，温度高于800℃以及压强大于10 Pa的条件更有利于薄膜样品呈现出P型导电性。利用这种方法只需要简单改变制备条件就可以原位制备出不同P/N型的半导体材料，从而为新一代半导体材料的广泛应用提供了一种思路。
论文信息：
Preparation of Novel Heterodimensional Structured Chalcogenide Semiconductor NanoFilm by Pulsed Laser Deposition Technology
Dongwen Gao，Li Wang，Xueqiong Su
DOI: 10.1002/adom.202300311
原文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202300311
